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제한항목: Kim, H; American Institute of Physics

검색간략리스트

1.

서명: Nanocrystalline NdFeB magnets fabricated by a modified hot-working process/
저자: Kim, H
발행처: American Institute of Physics
원문제공시작년: 2003
자료유형: 저널기사 원문복사 신청
원문제공마감년

2.

서명: Ultra-highly doped Si1-xGex(001):B gas-source molecular-beam epitaxy: Boron surface segregation and its effect on film growth kinetics/
저자: Kim, H
발행처: American Institute of Physics
원문제공시작년: 2001
자료유형: 저널기사 원문복사 신청
원문제공마감년

3.

서명: Effect of film thickness on the properties of indium tin oxide thin films/
저자: Kim, H
발행처: American Institute of Physics
원문제공시작년: 2000
자료유형: 저널기사 원문복사 신청
원문제공마감년

4.

서명: Arsenic incorporation during Si(001):As gas-source molecular-beam epitaxy from Si2H6 and AsH3: Effects on film-growth kinetics/
저자: Kim, H
발행처: American Institute of Physics
원문제공시작년: 2000
자료유형: 저널기사 원문복사 신청
원문제공마감년

5.

서명: Si(001):B gas-source molecular-beam epitaxy: Boron surface segregation and its effect on film growth kinetics
저자: Kim, H
발행처: American Institute of Physics
원문제공시작년: 1980
자료유형: 저널기사 원문복사 신청
원문제공마감년

6.

서명: Effects of H coverage on Ge segregation during Si~1~-~xGe~x gas-source molecular beam epitaxy
저자: Kim, H
발행처: American Institute of Physics
원문제공시작년: 1980
자료유형: 저널기사 원문복사 신청
원문제공마감년

7.

서명: Monte Carlo simulation study of recombination dynamics in solution
저자: Kim, H
발행처: American Institute of Physics
원문제공시작년: 1980
자료유형: 저널기사 원문복사 신청
원문제공마감년

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