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검색어[전방일치/ 기사저자명:Chen L.]

총 2건 중 2건 출력

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제한항목: Chen, L. P

검색간략리스트

1.

기사제목: Studies on damage removing efficiency of B^+~1~1 and BF^+~2 implanted Si~0~.~8~4Ge~0~.~1~6 epilayers by rapid thermal annealing
기사저자명: Chen, L. P
출판사: American Institute of Physics
발행년: 1980
자료유형: 저널기사 원문복사 신청

2.

기사제목: Phosphorus doping of Si and Si~1~-~xGe~x grown by ultrahigh vacuum chemical vapor deposition using Si~2H~6 and GeH~4
기사저자명: Chen, L. P
출판사: American Institute of Physics
발행년: 1980
자료유형: 저널기사 원문복사 신청

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