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검색어[전방일치/ 기사저자명:Goto T]

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제한항목: Ohta, Hiroyuki; 2001

검색간략리스트

1.

기사제목: Effect of ions and radicals on formation of silicon nitride gate dielectric films using plasma chemical vapor deposition/
기사저자명: Ohta, Hiroyuki
출판사: American Institute of Physics
발행년: 2001
자료유형: 저널기사 원문복사 신청

2.

기사제목: Ultrathin fluorinated silicon nitride gate dielectric films formed by remote plasma enhanced chemical vapor deposition employing NH3 and SiF4/
기사저자명: Ohta, Hiroyuki
출판사: American Institute of Physics
발행년: 2001
자료유형: 저널기사 원문복사 신청

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