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검색어[전방일치/ 기사저자명:Chen L.]

총 2건 중 2건 출력

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제한항목: Yew, J. Y; 1980

검색간략리스트

1.

기사제목: Formation of self-aligned CoSi~2 on selective epitaxial growth silicon layer on (001)Si inside 0.1-0.6 � oxide openings prepared by electron beam lithography
기사저자명: Yew, J. Y
출판사: American Institute of Physics
발행년: 1980
자료유형: 저널기사 원문복사 신청

2.

기사제목: Epitaxial growth of NiSi~2 on (111)Si inside 0.1-0.6 � oxide openings prepared by electron beam lithography
기사저자명: Yew, J. Y
출판사: American Institute of Physics
발행년: 1980
자료유형: 저널기사 원문복사 신청

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