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검색어[전방일치/ 기사저자명:Chen M.]
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12.
기사제목
Model for band-edge electroluminescence from metal-oxide-semiconductor silicon tunneling diodes/ 미리보기
기사저자명
Chen, Miin-Jang
출판사
American Institute of Physics
발행년
2001
자료유형
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13.
기사제목
Low-frequency noise in n-channel metal-oxide-semiconductor field-effect transistors undergoing soft breakdown/ 미리보기
기사저자명
Chen, Ming-Jer
출판사
American Institute of Physics
발행년
2001
자료유형
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14.
기사제목
Visible and band edge electroluminescence from indium tin oxide/SiO2/Si metal-oxide-semiconductor structures/ 미리보기
기사저자명
Chen, Miin-Jang
출판사
American Institute of Physics
발행년
2001
자료유형
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15.
기사제목
Characterization of GaN Schottky barrier photodetectors with a low-temperature GaN cap layer/ 미리보기
기사저자명
Lee, M. L
출판사
American Institute of Physics
발행년
2003
자료유형
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16.
기사제목
Dynamical analysis of relaxation luminescence in ZnS:Er^3^+ thin film devices/ 미리보기
기사저자명
Wang, Y.-J
출판사
American Institute of Physics
발행년
2003
자료유형
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17.
기사제목
Electroluminescence and photoluminescence studies on carrier radiative and nonradiative recombinations in metal-oxide-silicon tunneling diodes/ 미리보기
기사저자명
Chen, M.-J
출판사
American Institute of Physics
발행년
2003
자료유형
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18.
기사제목
Observation of ion gettering effects in high-temperature superconductingoxide material 미리보기
기사저자명
Hong, S. H
출판사
American Institute of Physics
발행년
1980
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19.
기사제목
Anisotropic electronic structure of in-plane aligned a-axis YBa~2Cu~3O~7~-~d~e~l~t~a thin films/ 미리보기
기사저자명
Luo, C. W
출판사
American Institute of Physics
발행년
2003
자료유형
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20.
기사제목
Schottky barrier height and interfacial state density on oxide-GaAs interface/ 미리보기
기사저자명
Hwang, J. S
출판사
American Institute of Physics
발행년
2003
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