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검색어[전방일치/ 기사저자명:Chand S.]

총 5건 중 5건 출력

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제한항목: American Institute of Physics

검색간략리스트

1.

기사제목: Effects of barrier height distribution on the behavior of a Schottky diode
기사저자명: Chand, S
출판사: American Institute of Physics
발행년: 1980
자료유형: 저널기사 원문복사 신청

2.

기사제목: On the existence of a distribution of barrier heights in Pd~2Si/Si Schottky diodes
기사저자명: Chand, S
출판사: American Institute of Physics
발행년: 1980
자료유형: 저널기사 원문복사 신청

3.

기사제목: Excitons in silicon diodes and solar cells: A three-particle theory
기사저자명: Corkish, R
출판사: American Institute of Physics
발행년: 1980
자료유형: 저널기사 원문복사 신청

4.

기사제목: Extraction of metal-oxide-semiconductor field-effect-transistor interface state and trapped charge spatial distributions using a physics-based algorithm
기사저자명: Chim, W. K
출판사: American Institute of Physics
발행년: 1980
자료유형: 저널기사 원문복사 신청

5.

기사제목: Unconnected junction contrast in ion beam induced charge microscopy
기사저자명: Kolachina, S
출판사: American Institute of Physics
발행년: 1980
자료유형: 저널기사 원문복사 신청

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