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검색어[전방일치/ 기사저자명:LIN J.]
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1.
기사제목
Enhancement of magnetoresistance in the intermediate state of Pr0.5Sr0.3Ca0.2MnO3/ 미리보기
기사저자명
Chang, C W
출판사
American Institute of Physics
발행년
2001
자료유형
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2.
기사제목
A comparative study of ultraviolet emission with peak wavelengths around350 nm from oxidized porous silicon and that from SiO~2 powder 미리보기
기사저자명
Qin, G. G
출판사
American Institute of Physics
발행년
1980
자료유형
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3.
기사제목
Photostimulated luminescence of BaFBr:Eu^2^+ phosphors 미리보기
기사저자명
Chen, W
출판사
American Institute of Physics
발행년
1980
자료유형
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4.
기사제목
Spectral components and their contributions to the 1.5 mum emission bandwidth of erbium-doped oxide glass/ 미리보기
기사저자명
Sun, J
출판사
American Institute of Physics
발행년
2003
자료유형
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5.
기사제목
Photoluminescence and photoelectron spectroscopic analysis of InGaAsN grown by metalorganic chemical vapor deposition/ 미리보기
기사저자명
Chang, W
출판사
American Institute of Physics
발행년
2001
자료유형
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6.
기사제목
Mechanism of photoluminescence in GaN/Al0.2Ga0.8N superlattices/ 미리보기
기사저자명
Chen, C H
출판사
American Institute of Physics
발행년
2001
자료유형
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7.
기사제목
Optical properties of GaN/AlGaN multiple quantum well microdisks 미리보기
기사저자명
Mair, R. A
출판사
American Institute of Physics
발행년
1980
자료유형
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8.
기사제목
Room temperature intrinsic optical transition in GaN epilayers: The band-to-band versus excitonic transitions 미리보기
기사저자명
Smith, M
출판사
American Institute of Physics
발행년
1980
자료유형
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9.
기사제목
Time-resolved photoluminescence studies of InGaN epilayers 미리보기
기사저자명
Smith, M
출판사
American Institute of Physics
발행년
1980
자료유형
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10.
기사제목
Transient characteristics of AlxGa1-xN/GaN heterojunction field-effect transistors/ 미리보기
기사저자명
Li, J Z
출판사
American Institute of Physics
발행년
2000
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