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검색어[전방일치/ 기사저자명:Lin J. Y.]
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1.
기사제목
Optical properties of GaN/AlGaN multiple quantum well microdisks 미리보기
기사저자명
Mair, R. A
출판사
American Institute of Physics
발행년
1980
자료유형
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2.
기사제목
Room temperature intrinsic optical transition in GaN epilayers: The band-to-band versus excitonic transitions 미리보기
기사저자명
Smith, M
출판사
American Institute of Physics
발행년
1980
자료유형
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3.
기사제목
Time-resolved photoluminescence studies of InGaN epilayers 미리보기
기사저자명
Smith, M
출판사
American Institute of Physics
발행년
1980
자료유형
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4.
기사제목
Transient characteristics of AlxGa1-xN/GaN heterojunction field-effect transistors/ 미리보기
기사저자명
Li, J Z
출판사
American Institute of Physics
발행년
2000
자료유형
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5.
기사제목
ELECTRONIC TRANSPORT AND SEMICONDUCTORS - Barrier-width dependence of quantum efficiencies of GaN/AlxGa1-xN multiple quantum wells/ 미리보기
기사저자명
Shin, Eun-joo
출판사
American Institute of Physics
발행년
2000
자료유형
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6.
기사제목
Comparison of optical transitions in InGaN quantum well structures and microdisks/ 미리보기
기사저자명
Dai, Lun
출판사
American Institute of Physics
발행년
2001
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7.
기사제목
Free excitonic transitions in GaN, grown by metal-organic chemical-vapordeposition 미리보기
기사저자명
Smith, M
출판사
American Institute of Physics
발행년
1980
자료유형
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8.
기사제목
Persistent photoconductivity in a two-dimensional electron gas system formed by an AlGaN/GaN heterostructure 미리보기
기사저자명
Li, J. Z
출판사
American Institute of Physics
발행년
1980
자료유형
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9.
기사제목
Exciton-phonon interaction in InGaN/GaN and GaN/AlGaN multiple quantum wells 미리보기
기사저자명
Smith, M
출판사
American Institute of Physics
발행년
1980
자료유형
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10.
기사제목
Surface emission of In~xGa~1~-~xN epilayers under strong optical excitation 미리보기
기사저자명
Jiang, H. X
출판사
American Institute of Physics
발행년
1980
자료유형
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