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검색어[전방일치/ 기사저자명:Ma H.]
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1.
기사제목
Reflective in-plane switching liquid crystal displays/ 미리보기
기사저자명
Sun, Y
출판사
American Institute of Physics
발행년
2003
자료유형
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2.
기사제목
Mapping two-dimensional arsenic distributions in silicon using dopant-selective chemical etching technique 미리보기
기사저자명
Neogi, S. S
출판사
American Institute of Physics
발행년
1980
자료유형
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3.
기사제목
Sheath dynamics observed in a 13.56 MHz-driven plasma 미리보기
기사저자명
Mahony, C. M. O
출판사
American Institute of Physics
발행년
1980
자료유형
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4.
기사제목
Carrier transport in a photorefractive multiple quantum well device 미리보기
기사저자명
Canoglu, E
출판사
American Institute of Physics
발행년
1980
자료유형
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5.
기사제목
In-plane orientation control of (001)YBa~2CU~3O~7~-~�grown on (001)MgO by pulsed organometallic beam epitaxy 미리보기
기사저자명
Buchholz, D. B
출판사
American Institute of Physics
발행년
1980
자료유형
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6.
기사제목
Flow structure due to dimple depressions on a channel surface/ 미리보기
기사저자명
Ligrani, P M
출판사
American Institute of Physics
발행년
2001
자료유형
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7.
기사제목
Magnetic-history-dependent nanostructural and resistivity changes in Pr0.5Ca0.5Mn0.98Cr0.02O3/ 미리보기
기사저자명
Hervieu, M
출판사
American Institute of Physics
발행년
2000
자료유형
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8.
기사제목
Comparative study of GaN and AlN nucleation layers and their role in growth of GaN on sapphire by metalorganic chemical vapor deposition/ 미리보기
기사저자명
Lorenz, K
출판사
American Institute of Physics
발행년
2000
자료유형
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9.
기사제목
Frequency-induced structure variation in electrorheological fluids/ 미리보기
기사저자명
Wen, Weijia
출판사
American Institute of Physics
발행년
2000
자료유형
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10.
기사제목
Smooth wet etching by ultraviolet-assisted photoetching and its application to the fabrication of AlGaN/GaN heterostructure field-effect transistors/ 미리보기
기사저자명
Maher, H
출판사
American Institute of Physics
발행년
2000
자료유형
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