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검색어[전방일치/ 기사저자명:Akiya H.]

총 6건 중 6건 출력

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1.

기사제목: Barrier Height Lowering and Instability of Gate Oxides Due to Dilute Hydrofluoric Acid Pretreatment
기사저자명: Akiya, H
출판사: Electrochemical Society
발행년: 1980
자료유형: 저널기사 원문복사 신청

2.

기사제목: Passivation of Sodium Ions in Metal Oxide Semiconductor Structures by Annealing with Ultraviolet Light
기사저자명: Itsumi, M
출판사: Electrochemical Society
발행년: 1980
자료유형: 저널기사 원문복사 신청

3.

기사제목: Impurity dependence of oxide defects in Czochralski silicon
기사저자명: Itsumi, M
출판사: American Institute of Physics
발행년: 1980
자료유형: 저널기사 원문복사 신청

4.

기사제목: Generation of Si-SiO~2 Interface States at Surface Potentials near 0.4 and 0.7 eV
기사저자명: Itsumi, M
출판사: Electrochemical Society
발행년: 1980
자료유형: 저널기사 원문복사 신청

5.

기사제목: Observation of Defects in Thermal Oxides of Polysilicon by Transmission Electron Microscopy Using Copper Decoration
기사저자명: Itsumi, M
출판사: Electrochemical Society
발행년: 1980
자료유형: 저널기사 원문복사 신청

6.

기사제목: On-Chip Decoupling Capacitance with High Dielectric Constant and Strength Using SrTiO~3 Thin Films Electron-Cyclotron-Resonance-Sputtered at 400�
기사저자명: Itsumi, M
출판사: Electrochemical Society
발행년: 1980
자료유형: 저널기사 원문복사 신청

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