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검색어[전방일치/ 기사저자명:Albrecht J D]

총 5건 중 5건 출력

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1.

기사제목: Piezoelectric effect in (001)- and (111)-oriented double-barrier resonant tunneling devices
기사저자명: Cong, L
출판사: American Institute of Physics
발행년: 1980
자료유형: 저널기사 원문복사 신청

2.

기사제목: Resonant tunneling in (001)- and (111)-oriented III-V double-barrier heterostructures under transverse and longitudinal stresses
기사저자명: Albrecht, J. D
출판사: American Institute of Physics
발행년: 1980
자료유형: 저널기사 원문복사 신청

3.

기사제목: Linear in-plane uniaxial stress effects on the device characteristics ofAlGaAs/GaAs modulation doped field effect transistors
기사저자명: Fung, A. K
출판사: American Institute of Physics
발행년: 1980
자료유형: 저널기사 원문복사 신청

4.

기사제목: Electromechanical coupling in free-standing AlGaN/GaN planar structures/
기사저자명: Jogai, B
출판사: American Institute of Physics
발행년: 2003
자료유형: 저널기사 원문복사 신청

5.

기사제목: Effect of electromechanical coupling on the strain in AlGaN/GaN heterojunction field effect transistors/
기사저자명: Jogai, B
출판사: American Institute of Physics
발행년: 2003
자료유형: 저널기사 원문복사 신청

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