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검색어[전방일치/ 기사저자명:Albrecht J. D.]
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1.
기사제목
Piezoelectric effect in (001)- and (111)-oriented double-barrier resonant tunneling devices 미리보기
기사저자명
Cong, L
출판사
American Institute of Physics
발행년
1980
자료유형
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2.
기사제목
Resonant tunneling in (001)- and (111)-oriented III-V double-barrier heterostructures under transverse and longitudinal stresses 미리보기
기사저자명
Albrecht, J. D
출판사
American Institute of Physics
발행년
1980
자료유형
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3.
기사제목
Linear in-plane uniaxial stress effects on the device characteristics ofAlGaAs/GaAs modulation doped field effect transistors 미리보기
기사저자명
Fung, A. K
출판사
American Institute of Physics
발행년
1980
자료유형
저널기사 저널기사 원문복사 신청
4.
기사제목
Electromechanical coupling in free-standing AlGaN/GaN planar structures/ 미리보기
기사저자명
Jogai, B
출판사
American Institute of Physics
발행년
2003
자료유형
저널기사 저널기사 원문복사 신청
5.
기사제목
Effect of electromechanical coupling on the strain in AlGaN/GaN heterojunction field effect transistors/ 미리보기
기사저자명
Jogai, B
출판사
American Institute of Physics
발행년
2003
자료유형
저널기사 저널기사 원문복사 신청
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