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[전방일치/ 기사제목:Antimony and boron diffusion in SiGe and Si under the influence of injected point defects/]
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기사
(1)
저자
Mcgregor, B M; Lerch, W; Loeffelmacher, D; Cooke, G A; Bonar, J M Dowsett, M G Willoughby, A F W; Dan, A H;
(1)
출판사
Chapman and Hall
(1)
발행년도
2001
(1)
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1.
기사제목
Antimony and boron diffusion in SiGe and Si under the influence of injected point defects/
기사저자명
Mcgregor, B M; Lerch, W; Loeffelmacher, D; Cooke, G A; Bonar, J M Dowsett, M G Willoughby, A F W; Dan, A H;
출판사
Chapman and Hall
발행년
2001
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