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검색어[전방일치/ 기사저자명:Benton J. L.]

총 5건 중 5건 출력

1/1 페이지

검색간략리스트

1.

기사제목: The effect of impurity content on point defect evolution in ion implanted and electron irradiated Si
기사저자명: Libertino, S
출판사: American Institute of Physics
발행년: 1980
자료유형: 저널기사 원문복사 신청

2.

기사제목: Evolution of interstitial- and vacancy-type defects upon thermal annealing in ion-implanted Si
기사저자명: Libertino, S
출판사: American Institute of Physics
발행년: 1980
자료유형: 저널기사 원문복사 신청

3.

기사제목: Iron gettering mechanisms in silicon
기사저자명: Benton, J. L
출판사: American Institute of Physics
발행년: 1980
자료유형: 저널기사 원문복사 신청

4.

기사제목: Evolution from point to extended defects in ion implanted silicon
기사저자명: Benton, J. L
출판사: American Institute of Physics
발행년: 1980
자료유형: 저널기사 원문복사 신청

5.

기사제목: The mechanism of iron gettering in boron-doped silicon
기사저자명: Stolk, P. A
출판사: American Institute of Physics
발행년: 1980
자료유형: 저널기사 원문복사 신청

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