충남대학교 외국학술지지원센터

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검색어[전방일치/ 기사저자명:Bonar J M]

총 3건 중 3건 출력

1/1 페이지

검색간략리스트

1.

기사제목: Non-selective growth of SiGe heterojunction bipolar trasistor layers at 700 degreeC with dual control of n- and p-type dopant profiles/
기사저자명: Buiu, O.; Ashburn, P.; El Mubarek, H. A. Wang, Y.; Hemment, P.; Hall, S. Bonar, J. M.;
출판사: Chapman and Hall
발행년: 2003
자료유형: 저널기사 원문복사 신청

2.

기사제목: Confined epitaxial growth by low-pressure chemical vapor deposition/
기사저자명: Hamel, J. S. Osman, K. Bagnall, D. M.; Lloyd, N. S.; Bonar, J. M.; Kemhadjian, H. A.;
출판사: Chapman and Hall
발행년: 2003
자료유형: 저널기사 원문복사 신청

3.

기사제목: On the use of total reflection x-ray topography for the observation of misfit dislocation strain at the surface of a Si/Ge-Si heterostructure/
기사저자명: Mcnally, Patrick J
출판사: American Institute of Physics
발행년: 2000
자료유형: 저널기사 원문복사 신청

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