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검색어[전방일치/ 기사저자명:Borzdov V.M.]

총 5건 중 5건 출력

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1.

기사제목: Simulation of Electron Transport in si inversion Layer at High Sheet Charge Carrier Density /
기사저자명: Borzdov, V.M
출판사: VSV Co. Ltd
발행년: 2000
자료유형: 저널기사 원문복사 신청

2.

기사제목: Self-Consistent Monte Carlo Simulation of High Field Electron Transport in Si-inversion Layer with Account of Electron-Electron Scattering /
기사저자명: Borzdov, V.M
출판사: VSV Co. Ltd
발행년: 1998
자료유형: 저널기사 원문복사 신청

3.

기사제목: Application of Monte Carlo Simulation to the Study of Scattering Effects in Double Barrier Resonant Tunneling Diode /
기사저자명: Borzdov, V.M
출판사: VSV Co. Ltd
발행년: 1997
자료유형: 저널기사 원문복사 신청

4.

기사제목: Monte Carlo Simulation of Impurity and Surface Roughness Scattering Effect on Nonstationary Hot Electron Trasport in GaAs Quantum Wire /
기사저자명: Borzdov, V.M
출판사: VSV Co. Ltd
발행년: 1997
자료유형: 저널기사 원문복사 신청

5.

기사제목: The influence of energy levels broadening on intersubband acoustic phonon scattering rates in quantum wire/
기사저자명: Borzdov, V. M. Galenchik, V. O.; Zhevnyak, O. G. Pozdnyakov, D. V.; Komarov, F. F.;
출판사: North-Holland Pub. Co
발행년: 2003
자료유형: 저널기사 원문복사 신청

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