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검색어[전방일치/ 기사저자명:Brandt O.]
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1.
기사제목
High p-type conductivity in cubic GaN/GaAs(113)A by using Be as the acceptor and O as the codopant 미리보기
기사저자명
Brandt, O
출판사
American Institute of Physics
발행년
1980
자료유형
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2.
기사제목
Direct observation of the initial nucleation and epitaxial growth of metastable cubic GaN on (001) GaAs 미리보기
기사저자명
Trampert, A
출판사
American Institute of Physics
발행년
1980
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3.
기사제목
Optical gain in optically pumped cubic GaN at room temperature 미리보기
기사저자명
Klann, R
출판사
American Institute of Physics
발행년
1980
자료유형
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4.
기사제목
Response to "Comment on `Shallow donors in GaN studied by electronic Raman scattering in resonance with yellow luminescence transitions'" [Appl. Phys. Lett. 70, 909 (1997)] 미리보기
기사저자명
Ramsteiner, M
출판사
American Institute of Physics
발행년
1980
자료유형
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5.
기사제목
Time-resolved photoluminescence investigations of cubic GaN layers and crystals up to room temperature 미리보기
기사저자명
Klann, R
출판사
American Institute of Physics
발행년
1980
자료유형
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6.
기사제목
Growth mode, strain relief, and segregation of (Ga,In)Sb on GaSb(001) grown by molecular beam epitaxy 미리보기
기사저자명
Bertru, N
출판사
American Institute of Physics
발행년
1980
자료유형
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7.
기사제목
Evaluation of the surface stoichiometry during molecular beam epitaxy ofcubic GaN on (001) GaAs 미리보기
기사저자명
Yang, H
출판사
American Institute of Physics
발행년
1980
자료유형
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8.
기사제목
Characterization of zinc blende In~xGa~1~-~xN grown by radio frequency plasma assisted molecular beam epitaxy on GaAs (001) 미리보기
기사저자명
Muellhaeuser, J. R
출판사
American Institute of Physics
발행년
1980
자료유형
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9.
기사제목
Cubic (In,Ga)N layers grown on GaAs(001) by dc plasma-assisted molecularbeam epitaxy 미리보기
기사저자명
Yang, B
출판사
American Institute of Physics
발행년
1980
자료유형
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10.
기사제목
Optimized growth conditions for the epitaxial nucleation of �GaN on GaAs(001) by molecular beam epitaxy 미리보기
기사저자명
Brandt, O
출판사
American Institute of Physics
발행년
1980
자료유형
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