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검색어[전방일치/ 기사저자명:Brueggemann R.]
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1.
기사제목
Identification and explanation of peculiar features in hole SCLC-TOF in a-Si:H pin-diodes from numerical modelling 미리보기
기사저자명
Brueggemann, R
출판사
North-Holland
발행년
1980
자료유형
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2.
기사제목
The operational principle of a new amorphous silicon based p-i-i-n colordetector 미리보기
기사저자명
Brueggemann, R
출판사
American Institute of Physics
발행년
1980
자료유형
저널기사 저널기사 원문복사 신청
3.
기사제목
Evaluation of the DICE analysis method for a-Si:H p-i-n devices 미리보기
기사저자명
Gao, W
출판사
North-Holland
발행년
1980
자료유형
저널기사 저널기사 원문복사 신청
4.
기사제목
Electroluminescence and forward bias currents in amorphous silicon p-i-ndiodes: the effect of steady state bias and large i-layer thickness 미리보기
기사저자명
Carius, R
출판사
North-Holland
발행년
1980
자료유형
저널기사 저널기사 원문복사 신청
1 

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