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검색어[전방일치/ 기사저자명:Buyanova I A]
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1.
기사제목
Influence of ion bombardment on Si and SiGe films during molecular beam epitaxy growth 미리보기
기사저자명
Ni, W.-X
출판사
American Institute of Physics
발행년
1980
자료유형
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2.
기사제목
Er/O and Er/F doping during molecular beam epitaxial growth of Si layersfor efficient 1.54/� light emission 미리보기
기사저자명
Ni, W.-X
출판사
American Institute of Physics
발행년
1980
자료유형
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3.
기사제목
Postgrowth hydrogen treatments of nonradiative defects in low-temperature molecular beam epitaxial Si 미리보기
기사저자명
Chen, W. M
출판사
American Institute of Physics
발행년
1980
자료유형
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4.
기사제목
Nonradiative defects in Si and SiGe/Si heterostructures grown by molecular beam epitaxy 미리보기
기사저자명
Chen, W. M
출판사
American Institute of Physics
발행년
1980
자료유형
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5.
기사제목
Intrinsic Doping: A New Approach for n-Type Modulation Doping in InP-Based Heterostructures 미리보기
기사저자명
Chen, W. M
출판사
American Physical Society
발행년
1980
자료유형
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6.
기사제목
Mechanism for thermal quenching of luminescence in SiGe/Si structures grown by molecular beam epitaxy: Role of nonradiative defects 미리보기
기사저자명
Buyanova, I. A
출판사
American Institute of Physics
발행년
1980
자료유형
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7.
기사제목
Optical detection of quantum oscillations in InP/InGaAs quantum structures 미리보기
기사저자명
Buyanova, I. A
출판사
American Institute of Physics
발행년
1980
자료유형
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8.
기사제목
Intrinsic optical properties of GaN epilayers grown on SiC substrates: Effect of the built-in strain 미리보기
기사저자명
Buyanova, I. A
출판사
American Institute of Physics
발행년
1980
자료유형
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9.
기사제목
Identification of Grown-In Efficient Nonradiative Recombination Centers in Molecular Beam Epitaxial Silicon 미리보기
기사저자명
Chen, W. M
출판사
American Physical Society
발행년
1980
자료유형
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10.
기사제목
Direct determination of electron effective mass in GaNAs/GaAs quantum wells/ 미리보기
기사저자명
Hai, P N
출판사
American Institute of Physics
발행년
2000
자료유형
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