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검색어[전방일치/ 기사저자명:Chadi D. J.]

총 8건 중 8건 출력

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검색간략리스트

1.

기사제목: Atomic origin of deep levels in p-type GaN: Theory
기사저자명: Chadi, D. J
출판사: American Institute of Physics
발행년: 1980
자료유형: 저널기사 원문복사 신청

2.

기사제목: Halogen impurities in silicon: Shallow single donors
기사저자명: Chadi, D. J
출판사: American Institute of Physics
발행년: 1980
자료유형: 저널기사 원문복사 신청

3.

기사제목: Core Structure of Thermal Donors in Silicon
기사저자명: Chadi, D. J
출판사: American Physical Society
발행년: 1980
자료유형: 저널기사 원문복사 신청

4.

기사제목: Intrinsic and H-induced defects at Si-SiO2 interfaces (6 pages)/
기사저자명: Chadi, D J
출판사: Published for the American Physical Society by the American Institute of Physics
발행년: 2001
자료유형: 저널기사 원문복사 신청

5.

기사제목: Ground State Structural Anomalies in Cuprous Halides: CuCl
기사저자명: Park, C. H
출판사: American Physical Society
발행년: 1980
자료유형: 저널기사 원문복사 신청

6.

기사제목: Fermi-Level-Pinning Defects in Highly n-Doped Silicon
기사저자명: Chadi, D. J
출판사: American Physical Society
발행년: 1980
자료유형: 저널기사 원문복사 신청

7.

기사제목: Holographic storage media based on optically active bistable defects
기사저자명: Linke, R. A
출판사: American Institute of Physics
발행년: 1980
자료유형: 저널기사 원문복사 신청

8.

기사제목: Evidence for a New Class of Defects in Highly n-Doped Si: Donor-Pair-Vacancy-Interstitial Complexes/
기사저자명: Voyles, P. M
출판사: American Physical Society
발행년: 2003
자료유형: 저널기사 원문복사 신청

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