충남대학교 외국학술지지원센터

주메뉴 바로가기
본문 바로가기(skip to content)
퀵메뉴 바로가기
마이메뉴 바로가기
도서관정보 바로가기

글로벌메뉴

주메뉴

이용안내
원문검색
센터소개
- 소개
- 연혁
- 운영시간
- 조직
게시판
- 이용안내
- 원문검색
- 센터소개
  - 소개
  - 연혁
  - 운영시간
  - 조직
- 게시판

검색

탭메뉴

검색어[전방일치/ 기사저자명:Chang K.-M.]

총 8건 중 8건 출력

1/1 페이지

검색간략리스트

1.

기사제목: Leakage Performance and Breakdown Mechanism of Silicon-Rich Oxide and Fluorinated Oxide Prepared by Electron Cyclotron Resonance Chemical Vapor Deposition
기사저자명: Chang, K. M
출판사: Electrochemical Society
발행년: 1980
자료유형: 저널기사 원문복사 신청

2.

기사제목: Amorphouslike chemical vapor deposited tungsten diffusion barrier for copper metallization and effects of nitrogen addition
기사저자명: Chang, K.-M
출판사: American Institute of Physics
발행년: 1980
자료유형: 저널기사 원문복사 신청

3.

기사제목: Effects of gas ratio on electrical properties of electron-cyclotron-resonance nitride films grown at room temperature
기사저자명: Chang, K.-M
출판사: American Institute of Physics
발행년: 1980
자료유형: 저널기사 원문복사 신청

4.

기사제목: SiH~4-WF~6 Gas-Phase Nucleated Tungsten as an Adhesion Layer in Blanket Chemical Vapor Deposition for Ultralarge Scale Integration
기사저자명: Chang, K.-M
출판사: Electrochemical Society
발행년: 1980
자료유형: 저널기사 원문복사 신청

5.

기사제목: Characteristics of Selective Chemical Vapor Deposition of Tungsten on Aluminum with a Vapor Phase Precleaning Technology
기사저자명: Chang, K.-M
출판사: Electrochemical Society
발행년: 1980
자료유형: 저널기사 원문복사 신청

6.

기사제목: The Influence of Precleaning Process on the Gate Oxide Film Fabricated by Electron Cyclotron Resonance Plasma Oxidation
기사저자명: Chang, K.-M
출판사: Electrochemical Society
발행년: 1980
자료유형: 저널기사 원문복사 신청

7.

기사제목: Nitridation of fine grain chemical vapor deposited tungsten film as diffusion barrier for aluminum metallization
기사저자명: Chang, K.-M
출판사: American Institute of Physics
발행년: 1980
자료유형: 저널기사 원문복사 신청

8.

기사제목: Semiconductor Devices, Materials, and Processing - Dry Etching of ZnO Using an Inductively Coupled Plasma/
기사저자명: Lee, J-M
출판사: Electrochemical Society
발행년: 2001
자료유형: 저널기사 원문복사 신청

1

임시보관함보기

하단메뉴