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검색어[전방일치/ 기사저자명:Chao T. S.]
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1.
기사제목
Inductive-coupling-nitrogen-plasma process for suppression of boron penetration in BF~2^+-implanted polycrystalline silicon gate 미리보기
기사저자명
Chao, T. S
출판사
American Institute of Physics
발행년
1980
자료유형
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2.
기사제목
A Novel Planarization of Oxide-Filled Shallow-Trench Isolation 미리보기
기사저자명
Cheng, J.-Y
출판사
Electrochemical Society
발행년
1980
자료유형
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3.
기사제목
Mechanism of nitrogen coimplant for suppressing boron penetration in p^+-polycrystalline silicon gate of p metal-oxide semiconductor field effecttransistor 미리보기
기사저자명
Chao, T. S
출판사
American Institute of Physics
발행년
1980
자료유형
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4.
기사제목
LETTERS - Silicon Devices - Reduced Reverse Narrow Channel Effect in Thin SOI nMOSFETs/ 미리보기
기사저자명
Chang, C-Y
출판사
Institute of Electrical and Electronics Engineers
발행년
2000
자료유형
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5.
기사제목
Dielectric Science and Materials - X-Ray Photoelectron Spectroscopy of Gate-Quality Silicon Oxynitride Films Produced by Annealing Plasma-Nitrided Si(100) in Nitrous Oxide/ 미리보기
기사저자명
Chen, H-W
출판사
Electrochemical Society
발행년
2001
자료유형
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6.
기사제목
A One-Step Single-Cleaning Solution for CMOS Processes/ 미리보기
기사저자명
Chao, T. S
출판사
Electrochemical Society
발행년
2003
자료유형
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7.
기사제목
LETTERS - Silicon Devices - An Anomalous Crossover in Vth Roll-Off for Indium-Doped nMOSFETs/ 미리보기
기사저자명
Chang, S-J
출판사
Institute of Electrical and Electronics Engineers
발행년
2000
자료유형
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8.
기사제목
PAPERS - Silicon Devices - High-Performance and High-Reliability 8-nm Gate-Length DTMOS with Indium Super Steep Retrograde Channel/ 미리보기
기사저자명
Chang, S-J
출판사
Institute of Electrical and Electronics Engineers
발행년
2000
자료유형
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9.
기사제목
Nano-oxidation of silicon nitride films with an atomic force microscope: Chemical mapping, kinetics, and applications/ 미리보기
기사저자명
Chien, F S-S
출판사
American Institute of Physics
발행년
2001
자료유형
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10.
기사제목
Semiconductor Devices, Materials, and Processing - One-Step Cleaning Solution to Replace the Conventional RCA Two-Step Cleaning Recipe for Pregate Oxide Cleaning/ 미리보기
기사저자명
Pan, T M
출판사
Electrochemical Society
발행년
2001
자료유형
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