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검색어[전방일치/ 기사저자명:Chen L. P.]

총 6건 중 6건 출력

1/1 페이지

검색간략리스트

1.

기사제목: Effects of Isolation Oxides on Undercut Formation and Electrical Characteristics for Silicon Selective Epitaxial Growth
기사저자명: Tseng, H.-C
출판사: Electrochemical Society
발행년: 1980
자료유형: 저널기사 원문복사 신청

2.

기사제목: Low temperature epitaxy of Si and Si~1~-~xGe~x by utrahigh vacuum-chemical molecular epitaxy
기사저자명: Huang, G. W
출판사: American Institute of Physics
발행년: 1980
자료유형: 저널기사 원문복사 신청

3.

기사제목: Studies on damage removing efficiency of B^+~1~1 and BF^+~2 implanted Si~0~.~8~4Ge~0~.~1~6 epilayers by rapid thermal annealing
기사저자명: Chen, L. P
출판사: American Institute of Physics
발행년: 1980
자료유형: 저널기사 원문복사 신청

4.

기사제목: Phosphorus doping of Si and Si~1~-~xGe~x grown by ultrahigh vacuum chemical vapor deposition using Si~2H~6 and GeH~4
기사저자명: Chen, L. P
출판사: American Institute of Physics
발행년: 1980
자료유형: 저널기사 원문복사 신청

5.

기사제목: LETTERS - Silicon Devices - Reduction of Source/Drain Series Resistance and Its Impact on Device Performance for PMOS Transistors with Raised Si1 - xGex Source/Drain/
기사저자명: Huang, H-J
출판사: Institute of Electrical and Electronics Engineers
발행년: 2000
자료유형: 저널기사 원문복사 신청

6.

기사제목: Characterization of atpA and orf220 genes distinctively present in a cytoplasmic malesterile line of tuber mustard/
기사저자명: Zhang, M.-F
출판사: Headley Brothers Ltd
발행년: 2003
자료유형: 저널기사 원문복사 신청

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