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검색어[전방일치/ 기사저자명:Coffa S.]
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1.
기사제목
High efficiency and fast modulation of Er-doped light emitting Si diodes 미리보기
기사저자명
Coffa, S
출판사
American Institute of Physics
발행년
1980
자료유형
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2.
기사제목
Room-temperature migration and interaction of ion beam generated defectsin crystalline silicon 미리보기
기사저자명
Privitera, V
출판사
American Institute of Physics
발행년
1980
자료유형
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3.
기사제목
Trap-Limited Migration of Si Self-Interstitials at Room Temperature 미리보기
기사저자명
Larsen, K. K
출판사
American Physical Society
발행년
1980
자료유형
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4.
기사제목
Kinetics and thermodynamics constraints in Pt gettering by P diffusion in Si 미리보기
기사저자명
Coffa, S
출판사
American Institute of Physics
발행년
1980
자료유형
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5.
기사제목
Evolution of the local environment around Er upon thermal annealing in Er and O co-implanted Si 미리보기
기사저자명
Terrasi, A
출판사
American Institute of Physics
발행년
1980
자료유형
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6.
기사제목
Depth profiles of vacancy- and interstitial-type defects in MeV implanted Si 미리보기
기사저자명
Coffa, S
출판사
American Institute of Physics
발행년
1980
자료유형
저널기사 저널기사 원문복사 신청
7.
기사제목
Mechanism and performance of forward and reverse bias electroluminescence at 1.54 � from Er-doped Si diodes 미리보기
기사저자명
Franzo, G
출판사
American Institute of Physics
발행년
1980
자료유형
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8.
기사제목
Photoluminescence and structural studies on extended defect evolution during high-temperature processing of ion-implanted epitaxial silicon/ 미리보기
기사저자명
Giri, P K
출판사
American Institute of Physics
발행년
2001
자료유형
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9.
기사제목
Formation, evolution, and annihilation of interstitial clusters in ion-implanted Si (14 pages)/ 미리보기
기사저자명
Libertino, Sebania
출판사
발행년
2001
자료유형
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