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검색어[전방일치/ 기사저자명:Cuevas A.]

총 8건 중 8건 출력

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1.

기사제목: Contactless determination of current-voltage characteristics and minority-carrier lifetimes in semiconductors from quasi-steady-state photoconductance data
기사저자명: Sinton, R. A
출판사: American Institute of Physics
발행년: 1980
자료유형: 저널기사 원문복사 신청

2.

기사제목: Surface recombination velocity of highly doped n-type silicon
기사저자명: Cuevas, A
출판사: American Institute of Physics
발행년: 1980
자료유형: 저널기사 원문복사 신청

3.

기사제목: High minority carrier lifetime in phosphorus-gettered multicrystalline silicon
기사저자명: Cuevas, A
출판사: American Institute of Physics
발행년: 1980
자료유형: 저널기사 원문복사 신청

4.

기사제목: Surface recombination velocity of phosphorus-diffused silicon solar cell emitters passivated with plasma enhanced chemical vapor deposited silicon nitride and thermal silicon oxide/
기사저자명: Kerr, M J
출판사: American Institute of Physics
발행년: 2001
자료유형: 저널기사 원문복사 신청

5.

기사제목: Capture cross sections of the acceptor level of iron-boron pairs in p-type silicon by injection-level dependent lifetime measurements/
기사저자명: Macdonald, Daniel
출판사: American Institute of Physics
발행년: 2001
자료유형: 저널기사 원문복사 신청

6.

기사제목: On the use of a bias-light correction for trapping effects in photoconductance-based lifetime measurements of silicon/
기사저자명: Macdonald, Daniel
출판사: American Institute of Physics
발행년: 2001
자료유형: 저널기사 원문복사 신청

7.

기사제목: Comment on "Mechanisms for the anomalous dependence of carrier lifetime on injection level and photoconductance on light intensity" (J. Appl. Phys. 89, 332 (2001))/
기사저자명: Macdonald, Daniel
출판사: American Institute of Physics
발행년: 2001
자료유형: 저널기사 원문복사 신청

8.

기사제목: Foreign Direct Investment in Mexico since the Approval of nafta
기사저자명: Cuevas, A.; Messmacher, M.; Werner, A.
출판사: Oxford University Press
발행년: 2005
자료유형: 저널기사 원문복사 신청

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