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검색어[전방일치/ 기사저자명:Daughton J. M.]

총 7건 중 7건 출력

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1.

기사제목: Magnetic tunneling applied to memory
기사저자명: Daughton, J. M
출판사: American Institute of Physics
발행년: 1980
자료유형: 저널기사 원문복사 신청

2.

기사제목: Design of Curie point written magnetoresistance random access memory cells/
기사저자명: Daughton, J. M
출판사: American Institute of Physics
발행년: 2003
자료유형: 저널기사 원문복사 신청

3.

기사제목: Experimental and analytical properties of 0.2-�-wide, end-on, multilayer, giant magnetoresistance, read head sensors
기사저자명: Pohm, A. V
출판사: American Institute of Physics
발행년: 1980
자료유형: 저널기사 원문복사 신청

4.

기사제목: Size dependence of switching thresholds for pseudo spin valve MRAM cells
기사저자명: Everitt, B. A
출판사: American Institute of Physics
발행년: 1980
자료유형: 저널기사 원문복사 신청

5.

기사제목: PART I - Spin-Dependent Transport, Tunnel Junctions, MRAM, and Related Sensors - Magnetostatic Coupling in Spin Dependent Tunnel Junctions/
기사저자명: Wang, D
출판사: Published by the Institute of Electrical and Electronics Engineers for the Magnetics Group
발행년: 2000
자료유형: 저널기사 원문복사 신청

6.

기사제목: Spin dependent tunneling junctions with reduced Neel coupling/
기사저자명: Wang, D
출판사: American Institute of Physics
발행년: 2003
자료유형: 저널기사 원문복사 신청

7.

기사제목: Noise properties of magnetic and nonmagnetic tunnel junctions/
기사저자명: Park, W. K
출판사: American Institute of Physics
발행년: 2003
자료유형: 저널기사 원문복사 신청

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