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검색어[전방일치/ 기사저자명:Dollfus P]

총 5건 중 5건 출력

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1.

기사제목: Si/Si~1~-~xGe~x heterostructures: Electron transport and field-effect transistor operation using Monte Carlo simulation
기사저자명: Dollfus, P
출판사: American Institute of Physics
발행년: 1980
자료유형: 저널기사 원문복사 신청

2.

기사제목: Monte Carlo study of spin relaxation in AlGaAs/GaAs quantum wells/
기사저자명: Bournel, A
출판사: American Institute of Physics
발행년: 2000
자료유형: 저널기사 원문복사 신청

3.

기사제목: Simple one-dimensional model for electronic structure calculation of unbiased and biased silicon quantum dots in Coulomb blockade applications/
기사저자명: See, J
출판사: American Institute of Physics
발행년: 2003
자료유형: 저널기사 원문복사 신청

4.

기사제목: Theoretical and experimental considerations on the spin field effect transistor/
기사저자명: Bournel, A
출판사: North-Holland
발행년: 2001
자료유형: 저널기사 원문복사 신청

5.

기사제목: Book Review - // Principles of Neural Science 4/e/
기사저자명: Dollfus, Paul
출판사: Stockton Press
발행년: 2000
자료유형: 저널기사 원문복사 신청

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