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검색어[전방일치/ 기사저자명:Dupuis R D]
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1.
기사제목
Very low dark current metal-semiconductor-metal ultraviolet photodetectors fabricated on single-crystal GaN epitaxial layers 미리보기
기사저자명
Carrano, J. C
출판사
American Institute of Physics
발행년
1980
자료유형
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2.
기사제목
An InAIAs/InGaAs metal-oxide-semiconductor field effect transistor usingthe native oxide of InAIAs as a gate insulation layer 미리보기
기사저자명
Grudowski, P. A
출판사
American Institute of Physics
발행년
1980
자료유형
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3.
기사제목
The effect of substrate misorientation on the photoluminescence properties of GaN grown on sapphire by metalorganic chemical vapor deposition 미리보기
기사저자명
Grudowski, P. A
출판사
American Institute of Physics
발행년
1980
자료유형
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4.
기사제목
Effects of thermally grown native oxides on the luminescence properties of compound semiconductors 미리보기
기사저자명
Islam, M. R
출판사
American Institute of Physics
발행년
1980
자료유형
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5.
기사제목
Optical data storage in InGaN/GaN heterostructures 미리보기
기사저자명
Shmagin, I. K
출판사
American Institute of Physics
발행년
1980
자료유형
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6.
기사제목
Resonant-cavity photodiode operating at 1.55 � with Burstein-shifted In~0~.~5~3Ga~0~.~4~7As/InP reflectors 미리보기
기사저자명
Murtaza, S. S
출판사
American Institute of Physics
발행년
1980
자료유형
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7.
기사제목
Selective regrowth of Al0.30Ga0.70N p-i-n photodiodes/ 미리보기
기사저자명
Collins, C J
출판사
American Institute of Physics
발행년
2000
자료유형
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8.
기사제목
Observation of long photoluminescence decay times for high-quality GaN grown by metalorganic chemical vapor deposition/ 미리보기
기사저자명
Kwon, Ho Ki
출판사
American Institute of Physics
발행년
2000
자료유형
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9.
기사제목
QUANTUM ELECTRONICS LETTERS - Low Dark Current GaN Avalanche Photodiodes/ 미리보기
기사저자명
Yang, B
출판사
Institute of Electrical and Electronics Engineers
발행년
2000
자료유형
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10.
기사제목
OPTOELECTRONICS - High-performance back-illuminated solar-blind AlGaN metal-semiconductor-metal photodetectors/ 미리보기
기사저자명
Yang, B
출판사
Institution of Electrical Engineers]
발행년
2000
자료유형
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