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검색어[전방일치/ 기사저자명:Eaglesham D. J.]
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1.
기사제목
Iron gettering mechanisms in silicon 미리보기
기사저자명
Benton, J. L
출판사
American Institute of Physics
발행년
1980
자료유형
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2.
기사제목
Formation of extended defects in silicon by high energy implantation of B and P 미리보기
기사저자명
Cheng, J. Y
출판사
American Institute of Physics
발행년
1980
자료유형
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3.
기사제목
Transient enhanced diffusion of Sb and B due to MeV silicon implants 미리보기
기사저자명
Eaglesham, D. J
출판사
American Institute of Physics
발행년
1980
자료유형
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4.
기사제목
Interstitial defects in silicon from 1-5 keV Si^+ ion implantation 미리보기
기사저자명
Agarwal, A
출판사
American Institute of Physics
발행년
1980
자료유형
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5.
기사제목
The mechanism of iron gettering in boron-doped silicon 미리보기
기사저자명
Stolk, P. A
출판사
American Institute of Physics
발행년
1980
자료유형
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6.
기사제목
Surface roughening during low temperature Si(100) epitaxy 미리보기
기사저자명
Karpenko, O. P
출판사
American Institute of Physics
발행년
1980
자료유형
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7.
기사제목
Evolution of interstitial- and vacancy-type defects upon thermal annealing in ion-implanted Si 미리보기
기사저자명
Libertino, S
출판사
American Institute of Physics
발행년
1980
자료유형
저널기사 저널기사 원문복사 신청
8.
기사제목
Reduction of transient diffusion from 1-5 key Si^+ ion implantation due to surface annihilation of interstitials 미리보기
기사저자명
Agarwal, A
출판사
American Institute of Physics
발행년
1980
자료유형
저널기사 저널기사 원문복사 신청
9.
기사제목
The effect of impurity content on point defect evolution in ion implanted and electron irradiated Si 미리보기
기사저자명
Libertino, S
출판사
American Institute of Physics
발행년
1980
자료유형
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10.
기사제목
Microstructure of sputtered TiN on Al 미리보기
기사저자명
Eaglesham, D. J
출판사
American Institute of Physics
발행년
1980
자료유형
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