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검색어[전방일치/ 기사제목:Effect of buffer layers and stacking faults on the reduction of threading dislocation density in GaN overlayers grown by metalorganic chemical vapor deposition/]

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기사제목: Effect of buffer layers and stacking faults on the reduction of threading dislocation density in GaN overlayers grown by metalorganic chemical vapor deposition/
기사저자명: Cho, Hyung Koun
출판사: American Institute of Physics
발행년: 2001
자료유형: 저널기사 원문복사 신청

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