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검색어[전방일치/ 기사저자명:Egawa T]
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1.
기사제목
Adsorption determination of ionic surfactants using an electrode-separated piezoelectric quartz crystal 미리보기
기사저자명
Nomura, T
출판사
Elsevier Pub. Co
발행년
1997
자료유형
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2.
기사제목
Characteristics of InGaN/AlGaN light-emitting diodes on sapphire substrates 미리보기
기사저자명
Egawa, T
출판사
American Institute of Physics
발행년
1980
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3.
기사제목
2000 h stable operation in 0.87 � light-emitting diode using stress-free InGaP/GaAs/Si 미리보기
기사저자명
Egawa, T
출판사
American Institute of Physics
발행년
1980
자료유형
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4.
기사제목
AlGaAs/GaAs light-emitting diode on a Si substrate with a self-formed GaAs islands active region grown by droplet epitaxy 미리보기
기사저자명
Hasegawa, Y
출판사
American Institute of Physics
발행년
1980
자료유형
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5.
기사제목
Novel method to directly prepare high-surface-area anatase titania nanoparticles with trapped electrons on oxygen vacancies/ 미리보기
기사저자명
Yao, X. Egawa, T.; Sun, Y. Zhang, L.;
출판사
Chapman and Hall
발행년
2003
자료유형
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6.
기사제목
Optical degradation of InGaN/AlGaN light-emitting diode on sapphire substrate grown by metalorganic chemical vapor deposition 미리보기
기사저자명
Egawa, T
출판사
American Institute of Physics
발행년
1980
자료유형
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7.
기사제목
LASERS - Enhanced spontaneous emission in hydrogen-plasma-passivated AlGaAs/GaAs vertical-cavity surface-emitting laser structures grown on Si substrate/ 미리보기
기사저자명
Wang, G
출판사
Institution of Electrical Engineers]
발행년
2000
자료유형
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8.
기사제목
Determination of exciton transition energy and bowing parameter of AlGaN alloys in AlGaN/GaN heterostructure by means of reflectance measurement/ 미리보기
기사저자명
Jiang, H
출판사
American Institute of Physics
발행년
2001
자료유형
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9.
기사제목
Growth of Si delta-doped GaN by metalorganic chemical-vapor deposition/ 미리보기
기사저자명
Zhao, G Y
출판사
American Institute of Physics
발행년
2000
자료유형
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10.
기사제목
Highly resistive GaN layers formed by ion implantation of Zn along the c axis/ 미리보기
기사저자명
Oishi, T
출판사
American Institute of Physics
발행년
2003
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