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검색어[전방일치/ 기사저자명:El Mubarek H. A.]
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기사제목
Non-selective growth of SiGe heterojunction bipolar trasistor layers at 700 degreeC with dual control of n- and p-type dopant profiles/ 미리보기
기사저자명
Buiu, O.; Ashburn, P.; El Mubarek, H. A. Wang, Y.; Hemment, P.; Hall, S. Bonar, J. M.;
출판사
Chapman and Hall
발행년
2003
자료유형
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