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검색어[전방일치/ 기사저자명:Evwaraye A. O.]
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1.
기사제목
Reply to "Comment on 'Temperature dependence of the barrier height of metal-semiconductor contacts on 6H-SiC'" 미리보기
기사저자명
Smith, S. R
출판사
American Institute of Physics
발행년
1980
자료유형
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2.
기사제목
Determination of the activation energy �3 for impurity conduction in n-type 4H-SiC 미리보기
기사저자명
Evwaraye, A. O
출판사
American Institute of Physics
발행년
1980
자료유형
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3.
기사제목
Temperature dependence of the barrier height of metal-semiconductor contacts on 6H-SiC 미리보기
기사저자명
Smith, S. R
출판사
American Institute of Physics
발행년
1980
자료유형
저널기사 저널기사 원문복사 신청
4.
기사제목
Optical admittance studies of vanadium donor level in high-resistivity p-type 6H-SiC 미리보기
기사저자명
Evwaraye, A. O
출판사
American Institute of Physics
발행년
1980
자료유형
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5.
기사제목
Boron acceptor levels in 6H-SiC bulk samples 미리보기
기사저자명
Evwaraye, A. O
출판사
American Institute of Physics
발행년
1980
자료유형
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6.
기사제목
Shallow and deep levels in n-type 4H-SiC 미리보기
기사저자명
Evwaraye, A. O
출판사
American Institute of Physics
발행년
1980
자료유형
저널기사 저널기사 원문복사 신청
7.
기사제목
Photosensitive electron paramagnetic resonance spectra in semi-insulating 4H SiC crystals (5 pages)/ 미리보기
기사저자명
Kalabukhova, E N
출판사
Published for the American Physical Society by the American Institute of Physics
발행년
2001
자료유형
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