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검색어[전방일치/ 기사저자명:Fang Z.-Q.]

총 6건 중 6건 출력

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검색간략리스트

1.

기사제목: Simple measurement of 300 K electron capture cross section for EL2 in GaAs
기사저자명: Look, D. C
출판사: American Institute of Physics
발행년: 1980
자료유형: 저널기사 원문복사 신청

2.

기사제목: Thermally stimulated current trap in GaN
기사저자명: Look, D. C
출판사: American Institute of Physics
발행년: 1980
자료유형: 저널기사 원문복사 신청

3.

기사제목: Microscopic nature of thermally stimulated current and electrical compensation in semi-insulating GaAs
기사저자명: Kuisma, S
출판사: American Institute of Physics
발행년: 1980
자료유형: 저널기사 원문복사 신청

4.

기사제목: Effect of high-temperature annealing on electrical and optical properties of undoped semi-insulating GaAs
기사저자명: Fang, Z.-Q
출판사: American Institute of Physics
발행년: 1980
자료유형: 저널기사 원문복사 신청

5.

기사제목: Effect of multistep wafer-annealing on main traps in Czochralski-grown semi-insulating GaAs
기사저자명: Fang, Z.-Q
출판사: American Institute of Physics
발행년: 1980
자료유형: 저널기사 원문복사 신청

6.

기사제목: Growth temperature and dopant species effects on deep levels in Si grown by low temperature molecular beam epitaxy/
기사저자명: Chung, S.-Y
출판사: American Institute of Physics
발행년: 2003
자료유형: 저널기사 원문복사 신청

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