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검색어[전방일치/ 기사저자명:Fleetwood D. M.]
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1.
기사제목
Correlation between latent interface trap buildup and 1/f noise in metal-oxide-semiconductor transistors 미리보기
기사저자명
Johnson, M. J
출판사
American Institute of Physics
발행년
1980
자료유형
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2.
기사제목
Oxide, interface, and border traps in thermal, N~2O, and N~2O-nitrided oxides 미리보기
기사저자명
Fleetwood, D. M
출판사
American Institute of Physics
발행년
1980
자료유형
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3.
기사제목
Mechanism for anneal-induced interfacial charging in SiO~2 thin films onSi 미리보기
기사저자명
Warren, W. L
출판사
American Institute of Physics
발행년
1980
자료유형
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4.
기사제목
Nonuniform oxide charge and paramagnetic interface traps in high-temperature annealed Si/SiO~2/Si structures 미리보기
기사저자명
Vanheusden, K
출판사
American Institute of Physics
발행년
1980
자료유형
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5.
기사제목
Non-volatile memory device based on mobile protons in SiO~2 thin films 미리보기
기사저자명
Vanheusden, K
출판사
Macmillan Journals ltd., etc.]
발행년
1997
자료유형
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6.
기사제목
Condensed Matter: Structure, etc. - Defect Generation by Hydrogen at the Si-SiO2 Interface/ 미리보기
기사저자명
Rashkeev, S N
출판사
American Physical Society
발행년
2001
자료유형
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8.
기사제목
SELECTED PAPERS FROM THE 2000 IEEE NUCLEAR AND SPACE RADIATION EFFECTS CONFERENCE (NSREC'00) - Reno, Nevada, July 24-28, 2000 - Session D: BASIC MECHANISMS - Reactions of Hydrogen with Si-SiO2Interfaces/ 미리보기
기사저자명
Pantelides, S T
출판사
Professional Technical Group on Nuclear Science
발행년
2000
자료유형
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