충남대학교외국학술지지원센터

글로벌메뉴

  • HOME
  • sitemap

주메뉴


검색

검색 타입
상세검색
검색어[전방일치/ 기사저자명:G. Ossman]
25건 중 25건 출력
1/3 페이지 엑셀파일 출력

검색간략리스트

열거형 테이블형
1.
기사제목
The Protection of International Organisations Under the Rules of Conflict of Laws: Prevailing Subjectivity 미리보기
기사저자명
G. Ossman
출판사
Brill Academic Publishers
발행년
자료유형
저널기사 저널기사 원문복사 신청
2.
기사제목
Transient enhanced diffusion of Sb and B due to MeV silicon implants 미리보기
기사저자명
Eaglesham, D. J
출판사
American Institute of Physics
발행년
1980
자료유형
저널기사 저널기사 원문복사 신청
3.
기사제목
Interstitial defects in silicon from 1-5 keV Si^+ ion implantation 미리보기
기사저자명
Agarwal, A
출판사
American Institute of Physics
발행년
1980
자료유형
저널기사 저널기사 원문복사 신청
4.
기사제목
B diffusion and clustering in ion implanted Si: The role of B cluster precursors 미리보기
기사저자명
Pelaz, L
출판사
American Institute of Physics
발행년
1980
자료유형
저널기사 저널기사 원문복사 신청
5.
기사제목
The effect of boron implant energy on transient enhanced diffusion in silicon 미리보기
기사저자명
Liu, J
출판사
American Institute of Physics
발행년
1980
자료유형
저널기사 저널기사 원문복사 신청
6.
기사제목
Point defects in Si after formation of a TiSi~2 film: Evidence for vacancy supersaturation and interstitial depletion 미리보기
기사저자명
Herner, S. B
출판사
American Institute of Physics
발행년
1980
자료유형
저널기사 저널기사 원문복사 신청
7.
기사제목
Capture of vacancies by extrinsic dislocation loops in silicon 미리보기
기사저자명
Herner, S. B
출판사
American Institute of Physics
발행년
1980
자료유형
저널기사 저널기사 원문복사 신청
8.
기사제목
Reduction of transient diffusion from 1-5 key Si^+ ion implantation due to surface annihilation of interstitials 미리보기
기사저자명
Agarwal, A
출판사
American Institute of Physics
발행년
1980
자료유형
저널기사 저널기사 원문복사 신청
9.
기사제목
Reviews of Books - EUROPE: EARLY MODERN AND MODERN - Basel in the Age of Burckhardt: A Study in Unseasonable Ideas./ 미리보기
기사저자명
Gossman, Lionel
출판사
American Historical Association [etc.]
발행년
2001
자료유형
저널기사 저널기사 원문복사 신청
10.
기사제목
Anomalous surface segregation of Sb in Si during epitaxial growth 미리보기
기사저자명
Kimura, K
출판사
American Institute of Physics
발행년
1980
자료유형
저널기사 저널기사 원문복사 신청
1 2 3 

하단메뉴