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검색어[전방일치/ 기사저자명:Gaska R.]
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1.
기사제목
The influence of the deformation on the two-dimensional electron gas density in GaN-AlGaN heterostructures 미리보기
기사저자명
Gaska, R
출판사
American Institute of Physics
발행년
1980
자료유형
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2.
기사제목
Nonlinear screening of pyroelectric films and grains in semiconductor matrix/ 미리보기
기사저자명
Dmitriev, A. P
출판사
American Institute of Physics
발행년
2003
자료유형
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3.
기사제목
Piezoresistive effect in GaN-AlN-GaN structures 미리보기
기사저자명
Gaska, R
출판사
American Institute of Physics
발행년
1980
자료유형
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4.
기사제목
Piezoeffect and gate current in AlGaN/GaN high electron mobility transistors 미리보기
기사저자명
Gaska, R
출판사
American Institute of Physics
발행년
1980
자료유형
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5.
기사제목
ELECTRONIC TRANSPORT AND SEMICONDUCTORS - AlGaN/GaN metal-oxide-semiconductor heterostructure field-effect transistors on SiC substrates/ 미리보기
기사저자명
Khan, M Asif
출판사
American Institute of Physics
발행년
2000
자료유형
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6.
기사제목
SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY - 7.5kW/mm2 current switch using AlGaN/GaN metal-oxide-semiconductor heterostructure field effect transistors on SiC substrates/ 미리보기
기사저자명
Simin, G
출판사
Institution of Electrical Engineers]
발행년
2000
자료유형
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7.
기사제목
Effect of gate leakage current on noise properties of AlGaN/GaN field effect transistors/ 미리보기
기사저자명
Rumyantsev, S L
출판사
American Institute of Physics
발행년
2000
자료유형
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8.
기사제목
High-quality p-n junctions with quaternary AlInGaN/InGaN quantum wells/ 미리보기
기사저자명
Chitnis, A
출판사
American Institute of Physics
발행년
2000
자료유형
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9.
기사제목
Ultraviolet light-emitting diodes at 340 nm using quaternary AlInGaN multiple quantum wells/ 미리보기
기사저자명
Adivarahan, V
출판사
American Institute of Physics
발행년
2001
자료유형
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10.
기사제목
Localization of carriers and polarization effects in quaternary AlInGaN multiple quantum wells/ 미리보기
기사저자명
Kuokstis, E
출판사
American Institute of Physics
발행년
2001
자료유형
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