충남대학교 외국학술지지원센터

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검색어[전방일치/ 기사저자명:Gaworzewski P.]

총 4건 중 4건 출력

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검색간략리스트

1.

기사제목: Charge transport in strained Si~1~-~yC~y and Si~1~-~x~-~yGe~xC~y, alloyson Si(001)
기사저자명: Osten, H. J
출판사: American Institute of Physics
발행년: 1980
자료유형: 저널기사 원문복사 신청

2.

기사제목: The influence of plastic properties of the probe tip/Si contact on spreading resistance analyses
기사저자명: Gaworzewski, P
출판사: American Institute of Physics
발행년: 1980
자료유형: 저널기사 원문복사 신청

3.

기사제목: Impact of low carbon concentrations on the electrical properties of highly boron doped SiGe layers
기사저자명: Osten, H. J
출판사: American Institute of Physics
발행년: 1980
자료유형: 저널기사 원문복사 신청

4.

기사제목: Fluorine incorporation into gate stacks of advanced silicon memory technologies: Simulation, depth distribution, and reliability/
기사저자명: Kr�ger, D
출판사: American Institute of Physics
발행년: 2001
자료유형: 저널기사 원문복사 신청

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