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검색어[전방일치/ 기사저자명:Gossmann H.-J.]
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1.
기사제목
Capture of vacancies by extrinsic dislocation loops in silicon 미리보기
기사저자명
Herner, S. B
출판사
American Institute of Physics
발행년
1980
자료유형
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2.
기사제목
Investigation of mechanisms of vacancy generation in silicon in the presence of a TiSi~2 film 미리보기
기사저자명
Herner, S. B
출판사
American Institute of Physics
발행년
1980
자료유형
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3.
기사제목
B diffusion and clustering in ion implanted Si: The role of B cluster precursors 미리보기
기사저자명
Pelaz, L
출판사
American Institute of Physics
발행년
1980
자료유형
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4.
기사제목
Reduction of transient diffusion from 1-5 key Si^+ ion implantation due to surface annihilation of interstitials 미리보기
기사저자명
Agarwal, A
출판사
American Institute of Physics
발행년
1980
자료유형
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5.
기사제목
Physical mechanisms of transient enhanced dopant diffusion in ion-implanted silicon 미리보기
기사저자명
Stolk, P. A
출판사
American Institute of Physics
발행년
1980
자료유형
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6.
기사제목
Transient enhanced diffusion of Sb and B due to MeV silicon implants 미리보기
기사저자명
Eaglesham, D. J
출판사
American Institute of Physics
발행년
1980
자료유형
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7.
기사제목
Interstitial defects in silicon from 1-5 keV Si^+ ion implantation 미리보기
기사저자명
Agarwal, A
출판사
American Institute of Physics
발행년
1980
자료유형
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8.
기사제목
Point defects in Si after formation of a TiSi~2 film: Evidence for vacancy supersaturation and interstitial depletion 미리보기
기사저자명
Herner, S. B
출판사
American Institute of Physics
발행년
1980
자료유형
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9.
기사제목
The interstitial fraction of diffusivity of common dopants in Si 미리보기
기사저자명
Gossmann, H.-J
출판사
American Institute of Physics
발행년
1980
자료유형
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10.
기사제목
Anomalous surface segregation of Sb in Si during epitaxial growth 미리보기
기사저자명
Kimura, K
출판사
American Institute of Physics
발행년
1980
자료유형
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