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검색어[전방일치/ 기사저자명:Grandjean N.]
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1.
기사제목
GaN and Al~xGa~1~-~x molecular beam epitaxy monitored by reflection high-energy electron diffraction 미리보기
기사저자명
Grandjean, N
출판사
American Institute of Physics
발행년
1980
자료유형
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2.
기사제목
Epitaxial relationships between GaN and Al~2O~3(0001) substrates 미리보기
기사저자명
Grandjean, N
출판사
American Institute of Physics
발행년
1980
자료유형
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3.
기사제목
Nitridation of sapphire. Effect on the optical properties of GaN epitaxial overlayers 미리보기
기사저자명
Grandjean, N
출판사
American Institute of Physics
발행년
1980
자료유형
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4.
기사제목
Real-time investigation of In surface segregation in chemical beam epitaxy of In~0~.~5Ga~0~.~5P on GaAs (001) 미리보기
기사저자명
Mesrine, M
출판사
American Institute of Physics
발행년
1980
자료유형
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5.
기사제목
Ultraviolet GaN light-emitting diodes grown by molecular beam epitaxy using NH~3 미리보기
기사저자명
Grandjean, N
출판사
American Institute of Physics
발행년
1980
자료유형
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6.
기사제목
Gas source molecular beam epitaxy of wurtzite GaN on sapphire substratesusing GaN buffer layers 미리보기
기사저자명
Grandjean, N
출판사
American Institute of Physics
발행년
1980
자료유형
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7.
기사제목
Magnetophotoluminescence of GaN/AlxGa1-xN quantum wells: Valence band reordering and excitonic binding energies (8 pages)/ 미리보기
기사저자명
Shields, P A
출판사
Published for the American Physical Society by the American Institute of Physics
발행년
2001
자료유형
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8.
기사제목
Photoluminescence energy and interface chemistry of GaInP/GaAs quantum wells 미리보기
기사저자명
Mesrine, M
출판사
American Institute of Physics
발행년
1980
자료유형
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9.
기사제목
STRUCTURAL, MECHANICAL, THERMODYNAMIC, AND OPTICAL PROPERTIES OF CONDENSED MATTER - InGaN/GaN quantum wells grown by molecular-beam epitaxy emitting from blue to red at 300 K/ 미리보기
기사저자명
Damilano, B
출판사
American Institute of Physics
발행년
2000
자료유형
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10.
기사제목
Photoluminescence spectroscopy on annealed molecular beam epitaxy grown GaN/ 미리보기
기사저자명
Bell, A
출판사
American Institute of Physics
발행년
2001
자료유형
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