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검색어[전방일치/ 기사저자명:Grudowski P. A.]

총 5건 중 5건 출력

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1.

기사제목: Very low dark current metal-semiconductor-metal ultraviolet photodetectors fabricated on single-crystal GaN epitaxial layers
기사저자명: Carrano, J. C
출판사: American Institute of Physics
발행년: 1980
자료유형: 저널기사 원문복사 신청

2.

기사제목: An InAIAs/InGaAs metal-oxide-semiconductor field effect transistor usingthe native oxide of InAIAs as a gate insulation layer
기사저자명: Grudowski, P. A
출판사: American Institute of Physics
발행년: 1980
자료유형: 저널기사 원문복사 신청

3.

기사제목: The effect of substrate misorientation on the photoluminescence properties of GaN grown on sapphire by metalorganic chemical vapor deposition
기사저자명: Grudowski, P. A
출판사: American Institute of Physics
발행년: 1980
자료유형: 저널기사 원문복사 신청

4.

기사제목: Properties of InGaN quantum-well heterostructures grown on sapphire by metalorganic chemical vapor deposition
기사저자명: Grudowski, P. A
출판사: American Institute of Physics
발행년: 1980
자료유형: 저널기사 원문복사 신청

5.

기사제목: Characteristics of Mg-Doped GaN Grown by Metallorganic Chemical Vapor Deposition
기사저자명: Eiting, C. J
출판사: Electrochemical Society
발행년: 1980
자료유형: 저널기사 원문복사 신청

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