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검색어[전방일치/ 기사저자명:Gusev E. P.]

총 6건 중 6건 출력

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1.

기사제목: High resolution ion scattering study of silicon oxynitridation
기사저자명: Lu, H. C
출판사: American Institute of Physics
발행년: 1980
자료유형: 저널기사 원문복사 신청

2.

기사제목: Effect of near-interfacial nitrogen on the oxidation behavior of ultrathin silicon oxynitrides
기사저자명: Lu, H. C
출판사: American Institute of Physics
발행년: 1980
자료유형: 저널기사 원문복사 신청

3.

기사제목: Ultrathin (<4 nm) SiO2 and Si-O-N gate dielectric layers for silicon microelectronics: Understanding the processing, structure, and physical and electrical limits/
기사저자명: Green, M L
출판사: American Institute of Physics
발행년: 2001
자료유형: 저널기사 원문복사 신청

4.

기사제목: An ion scattering study of the interaction of oxygen with Si(111): surface roughening and oxide growth
기사저자명: Lu, H. C
출판사: North-Holland Pub. Co
발행년: 1980
자료유형: 저널기사 원문복사 신청

5.

기사제목: The composition of ultrathin silicon oxynitrides thermally grown in nitric oxide
기사저자명: Gusev, E. P
출판사: American Institute of Physics
발행년: 1980
자료유형: 저널기사 원문복사 신청

6.

기사제목: Physical and electrical properties of reactive molecular-beam-deposited aluminum nitride in metal-oxide-silicon structures/
기사저자명: Ragnarsson, L.-A
출판사: American Institute of Physics
발행년: 2003
자료유형: 저널기사 원문복사 신청

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