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검색어[전방일치/ 기사저자명:Gwo S.]

총 6건 중 6건 출력

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검색간략리스트

1.

기사제목: Atomic-scale nature of the (3 x 3)-ordered GaAs(001):N surface prepared by plasma-assisted molecular-beam epitaxy
기사저자명: Gwo, S
출판사: American Institute of Physics
발행년: 1980
자료유형: 저널기사 원문복사 신청

2.

기사제목: MOS interface characterization by cross-sectional STM
기사저자명: Komeda, T
출판사: North-Holland Pub. Co
발행년: 1980
자료유형: 저널기사 원문복사 신청

3.

기사제목: Structural and doping properties of molecular beam epitaxy-grown Si-doped GaAs(001) surfaces
기사저자명: Gwo, S
출판사: North-Holland Pub. Co
발행년: 1980
자료유형: 저널기사 원문복사 신청

4.

기사제목: Condensed Matter: Structure, etc. - Structure Determination of the Si3N4/Si(111)-(8 X 8) Surface: A Combined Study of Kikuchi Electron Holography, Scanning Tunneling Microscopy, and ab initio Calculations/
기사저자명: Ahn, H
출판사: American Physical Society
발행년: 2001
자료유형: 저널기사 원문복사 신청

5.

기사제목: Self-Limiting Size Distribution of Supported Cobalt Nanoclusters at Room Temperature/
기사저자명: Gwo, S
출판사: American Physical Society
발행년: 2003
자료유형: 저널기사 원문복사 신청

6.

기사제목: Oxidation states in scanning-probe-induced Si3N4 to SiOx conversion studied by scanning photoemission microscopy/
기사저자명: Klauser, R
출판사: American Institute of Physics
발행년: 2001
자료유형: 저널기사 원문복사 신청

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