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검색어[전방일치/ 기사저자명:Hacke P.]

총 3건 중 3건 출력

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1.

기사제목: Characterization of the dominant midgap levels in Si-doped GaN by optical-isothermal capacitance transient spectroscopy
기사저자명: Hacke, P
출판사: American Institute of Physics
발행년: 1980
자료유형: 저널기사 원문복사 신청

2.

기사제목: Arsenic mediated reconstructions on cubic (001) GaN
기사저자명: Feuillet, G
출판사: American Institute of Physics
발행년: 1980
자료유형: 저널기사 원문복사 신청

3.

기사제목: Monitoring surface stoichiometry with the (2 x 2) reconstruction during growth of hexagonal-phase GaN by molecular beam epitaxy
기사저자명: Hacke, P
출판사: American Institute of Physics
발행년: 1980
자료유형: 저널기사 원문복사 신청

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