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검색어[전방일치/ 기사저자명:Hansen J. L.]
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1.
기사제목
Estimating the Income Elasticity of Demand for Housing: A Comparison of Traditional and Lorenz-Concentration Curve Methodologies 미리보기
기사저자명
Hansen, J. L.
출판사
ACADEMIC PRESS, INC.
발행년
1998
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2.
기사제목
Comment on "Stability of a Solitary Pulse against Wave Packet Disturbances in an Active Medium" 미리보기
기사저자명
Hansen, J. L
출판사
American Physical Society
발행년
1980
자료유형
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3.
기사제목
Boron and phosphorus diffusion in strained and relaxed Si and SiGe/ 미리보기
기사저자명
Zangenberg, N. R
출판사
American Institute of Physics
발행년
2003
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4.
기사제목
Low-dimensional structures generated by misfit dislocations in the bulk of Si~1~-~xGe~x/Si heteroepitaxial systems 미리보기
기사저자명
Shiryaev, S. Y
출판사
American Institute of Physics
발행년
1980
자료유형
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5.
기사제목
BRIEF REPORTS - Semiconductors I: Bulk - Structural-relaxation-induced bond length and bond angle changes in amorphized Ge (4 pages)/ 미리보기
기사저자명
Glover, C J
출판사
Published for the American Physical Society by the American Institute of Physics
발행년
2001
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6.
기사제목
Condensed Matter: Structure, etc. - Ge Self-Diffusion in Epitaxial Si1-xGex Layers/ 미리보기
기사저자명
Zangenberg, N R
출판사
American Physical Society
발행년
2001
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7.
기사제목
Immigrant-Native Differences in Welfare Participation: The Role of Entry and Exit Rates 미리보기
기사저자명
HANSEN, J.; LOFSTROM, M.
출판사
Blackwell Publishing Ltd
발행년
2011
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8.
기사제목
Boron-interstitial silicon clusters and their effects on transient enhanced diffusion of boron in silicon/ 미리보기
기사저자명
Solmi, S
출판사
American Institute of Physics
발행년
2000
자료유형
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9.
기사제목
Self-assembly of epitaxially grown Ge/Si quantum dots enhanced by As ion implantation/ 미리보기
기사저자명
Gaiduk, P I
출판사
American Institute of Physics
발행년
2001
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