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검색어[전방일치/ 기사저자명:Hartmann Q. J.]
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1.
기사제목
Semi-insulating In~0~.~4~9Ga~0~.~5~1P grown at reduced substrate temperature by low-pressure metalorganic chemical vapor deposition 미리보기
기사저자명
Hartmann, Q. J
출판사
American Institute of Physics
발행년
1980
자료유형
저널기사 저널기사 원문복사 신청
2.
기사제목
Removal of hydrogen from the base of carbon-doped In~0~.~4~9Ga~0~.~51P/GaAs heterojunction bipolar transistors by ex situ annealing and the effects on device characteristics 미리보기
기사저자명
Hartmann, Q. J
출판사
American Institute of Physics
발행년
1980
자료유형
저널기사 저널기사 원문복사 신청
1 

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