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전방일치
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검색어
[전방일치/ 기사저자명:Heitz R.]
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15
건 중
15
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1/2
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검색결과제한
자료유형
기사
(15)
저자
Heitz, R
(4)
Boehrer, J
(1)
Eckey, L
(1)
Geller, M
(1)
Goede, K
(1)
Gu, Lianhong
(1)
Kapteyn, C M A
(1)
Kuttler, M
(1)
Maximov, M V
(1)
Pressel, K
(1)
Ramachandran, T. R
(1)
Wetzler, R
(1)
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(7)
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출판사
American Institute of Physics
(8)
Published for the American Physical Society by the American Institute of Physics
(3)
American Physical Society
(1)
Elsevier
(1)
North-Holland Pub. Co
(1)
발행년도
1980
(8)
2000
(3)
2001
(3)
1997
(1)
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기사제목
기사저자명
출판사
발행년
정렬
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내림차순
5
10
15
20
30
50
100
1.
기사제목
Laterally structured ZnCdSe/ZnSe superlattices by diffusion induced disordering
기사저자명
Kuttler, M
출판사
American Institute of Physics
발행년
1980
자료유형
저널기사
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2.
기사제목
Mass transfer in Stranski-Krastanow growth of InAs on GaAs
기사저자명
Ramachandran, T. R
출판사
American Institute of Physics
발행년
1980
자료유형
저널기사
원문복사 신청
3.
기사제목
Observation of Reentrant 2D to 3D Morphology Transition in Highly Strained Epitaxy: InAs on GaAs
기사저자명
Heitz, R
출판사
American Physical Society
발행년
1980
자료유형
저널기사
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4.
기사제목
Dynamics of bound-exciton luminescences from epitaxial GaN
기사저자명
Eckey, L
출판사
American Institute of Physics
발행년
1980
자료유형
저널기사
원문복사 신청
5.
기사제목
Interface inequivalence of the InP/InAlAs/InP staggered double heterostructure grown by metalorganic chemical vapor deposition
기사저자명
Boehrer, J
출판사
American Institute of Physics
발행년
1980
자료유형
저널기사
원문복사 신청
6.
기사제목
Multiphonon-relaxation processes in self-organized InAs/GaAs quantum dots
기사저자명
Heitz, R
출판사
American Institute of Physics
발행년
1980
자료유형
저널기사
원문복사 신청
7.
기사제목
Photoluminescence study of the 1.047 eV emission in GaN
기사저자명
Pressel, K
출판사
American Institute of Physics
발행년
1980
자료유형
저널기사
원문복사 신청
8.
기사제목
Exciton relaxation in self-organized InAs/GaAs quantum dots
기사저자명
Heitz, R
출판사
North-Holland Pub. Co
발행년
1980
자료유형
저널기사
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9.
기사제목
BRIEF REPORTS - Semiconductors II: Surfaces, interfaces, microstructures, and related topics - Ringlike emission profiles in scanning near-field photoluminescence images of single InGaAs quantum dots (4 pages)/
기사저자명
Geller, M
출판사
Published for the American Physical Society by the American Institute of Physics
발행년
2001
자료유형
저널기사
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10.
기사제목
Capacitance-voltage characteristics of InAs/GaAs quantum dots embedded in a pn structure/
기사저자명
Wetzler, R
출판사
American Institute of Physics
발행년
2000
자료유형
저널기사
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