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검색어[전방일치/ 기사저자명:Herfort J.]

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1.

기사제목: Transport in gated undoped GaAs/Al~xGa~1~-~xAS heterostructures in the high density and high mobility range
기사저자명: Herfort, J
출판사: American Institute of Physics
발행년: 1980
자료유형: 저널기사 원문복사 신청

2.

기사제목: Field effect-induced quasi-one-dimensional electron transport in GaAs/Al~xGa~1 ~xAs heterostructures
기사저자명: Herfort, J
출판사: American Institute of Physics
발행년: 1980
자료유형: 저널기사 원문복사 신청

3.

기사제목: Quasi-One-Dimensional Electron Gases in a Gated Undoped GaAs/AlxGa1-xAs heterostructure /
기사저자명: Herfort, J
출판사: VSV Co. Ltd
발행년: 1997
자료유형: 저널기사 원문복사 신청

4.

기사제목: Extending the epitaxial thickness limit in low-substrate-temperature- grown GaAs
기사저자명: Apostolopoulos, G
출판사: American Institute of Physics
발행년: 2001
자료유형: 저널기사 원문복사 신청

5.

기사제목: Free-carrier absorption in Be- and C-doped GaAs epilayers and far infrared detector applications/
기사저자명: Korotkov, A L
출판사: American Institute of Physics
발행년: 2001
자료유형: 저널기사 원문복사 신청

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