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검색어[전방일치/ 기사저자명:Heying B]

총 7건 중 7건 출력

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검색간략리스트

1.

기사제목: Homoepitaxial growth of GaN under Ga-stable and N-stable conditions by plasma-assisted molecular beam epitaxy
기사저자명: Tarsa, E. J
출판사: American Institute of Physics
발행년: 1980
자료유형: 저널기사 원문복사 신청

2.

기사제목: Influence of sapphire nitridation on properties of gallium nitride grownby metalorganic chemical vapor deposition
기사저자명: Keller, S
출판사: American Institute of Physics
발행년: 1980
자료유형: 저널기사 원문복사 신청

3.

기사제목: Role of threading dislocation structure on the x-ray diffraction peak widths in epitaxial GaN films
기사저자명: Heying, B
출판사: American Institute of Physics
발행년: 1980
자료유형: 저널기사 원문복사 신청

4.

기사제목: Condensed Matter: Electronic Properties, etc. - Characterization of Individual Threading Dislocations in GaN Using Ballistic Electron Emission Microscopy/
기사저자명: Im, H-J
출판사: American Physical Society
발행년: 2001
자료유형: 저널기사 원문복사 신청

5.

기사제목: Two-dimensional electron-gas AlN/GaN heterostructures with extremely thin AlN barriers/
기사저자명: Smorchkova, I P
출판사: American Institute of Physics
발행년: 2000
자료유형: 저널기사 원문복사 신청

6.

기사제목: Effects of growth conditions on the incorporation of oxygen in AlGaN layers grown by plasma assisted molecular beam epitaxy/
기사저자명: Elsass, C R
출판사: American Institute of Physics
발행년: 2000
자료유형: 저널기사 원문복사 신청

7.

기사제목: Persistent photoconductivity study in a high mobility AlGaN/GaN heterostructure/
기사저자명: Elhamri, S
출판사: American Institute of Physics
발행년: 2000
자료유형: 저널기사 원문복사 신청

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