충남대학교 외국학술지지원센터

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검색어[전방일치/ 기사저자명:Huang G. W.]

총 4건 중 4건 출력

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1.

기사제목: Low temperature epitaxy of Si and Si~1~-~xGe~x by utrahigh vacuum-chemical molecular epitaxy
기사저자명: Huang, G. W
출판사: American Institute of Physics
발행년: 1980
자료유형: 저널기사 원문복사 신청

2.

기사제목: Phosphorus doping of Si and Si~1~-~xGe~x grown by ultrahigh vacuum chemical vapor deposition using Si~2H~6 and GeH~4
기사저자명: Chen, L. P
출판사: American Institute of Physics
발행년: 1980
자료유형: 저널기사 원문복사 신청

3.

기사제목: LETTERS - Silicon Devices - Reduction of Source/Drain Series Resistance and Its Impact on Device Performance for PMOS Transistors with Raised Si1 - xGex Source/Drain/
기사저자명: Huang, H-J
출판사: Institute of Electrical and Electronics Engineers
발행년: 2000
자료유형: 저널기사 원문복사 신청

4.

기사제목: Simulation based analysis of middleware service impact on system reliability: Experiment on Java Application server
기사저자명: Huang, G.; Wang, W.; Liu, T.; Mei, H.
출판사: Executive Sciences Institute
발행년: 2013
자료유형: 저널기사 원문복사 신청

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